芯片制造技术最先进的厂商是台积电，而美一直都想要台积电最先进的芯片生产制造技术，但台积电一直都拒绝在美建厂。

　　芯片等规则被修改后，台积电宣布在美建设5nm芯片生产线，这是当时台积电能够量产的最先进制程的芯片，预计2024年正式投产。

　　据悉，台积电方面正式对外表示在美建厂投资太高，尤其是人工等成本，计划的120亿美元根本不够用。

　　不仅如此，台积电还公开拒绝在美建设更多工厂的要求，转身就决定在日本等地区建厂，还先后宣布投资600亿美元在台湾省建厂。

　　据悉，台积电在日本建22nm等芯片生产线nm芯片工，并计划在欧洲、印度考察建厂。

　　最主要的是，台积电还明确表示，将会在今年下半年正式量产3nm芯片，2024年试产2nm芯片，2025年正式量产2nm芯片。

　　也就是说，台积电有比5nm工艺更先进的技术，仅在美建设5nm芯片生产线万片/月，并没有扩产计划。

　　这意味着台积电说到做到了，在海外建厂往往落后台积电最先进技术两代，更多先进制程芯片的产能都是放在台湾省。

　　消息称，美日联合研发2nm等芯片制造技术，并严格进行技术保密，以实现更多先进制程芯片在本土生产制造。

　　另外，美收紧了14nm以下芯片制造技术以及设备的出货，并对ASML进行游说，希望其收紧国际主流需求光刻机的出货范围。

　　甚至有消息称，新的出货规则甚至将台积电也包含在内，而这些已经得到了美泛林半导体和科磊两家企业证实。

　　毕竟，台积电采用了部分美技术，刘德音也表示其追求的是技术领先，建设非美技术生产线不是目前考虑的方向。

　　关键是，台积电早些时候还明确表示将会在2024年获得全新一代High NA EUV光刻机，用于生产制造2nm等制程的芯片，所以面对这些消息外媒表示有点意外。

　　首先，在美建厂成本就是高，120亿美元建设不了一座5nm芯片工厂，而台积电在台湾省投资400亿美元能建设四座3nm芯片工厂，差距明显很大。

　　关键是补贴还不一定会到账，当初建厂承诺有补贴，如今，520亿美元的补贴即将敲定，英特尔等却想将台积电排除在外。

　　这就导致台积电张忠谋等呼吁，希望美将520亿美元补贴也给那些在美建厂的非本土企业。

　　其次，台积电至今都没有获得自由出货许可，而台积电又严重依赖先进工艺贡献的营收。

　　就目前而言，大多数7nm以下芯片订单都在台积电手中，未来的3nm、2nm等芯片可能也是如此，一旦将这些工厂建设美，台积电可能会进一步在出货方面受到约束。

　　毕竟，ASML就是最好的例子，在美生产制造的DUV光刻机却不能自由出货，而其它地区生产制造的DUV光刻机则可以正常出货。

　　在这样的情况下，台积电自然是不想将更多芯片产能放在美，尤其是先进工艺，更何况，美本土还缺少相关产业链的支持。