芯片竞争是当今国际科技竞争的主要内容，就算是美国也不具备尖端芯片自产的能力。想要制造7nm以下的高精尖芯片便需要EUV光刻机的辅助，而这种光刻机的制作工艺被ASML垄断。

　　但是如今美国芯片巨头美光却是传来了好消息，声称其通过1β(1-beta)成功绕过光刻机，实现了高精尖芯片的研发，并且预计量产，可谓是振奋人心。那么美光的1β(1-beta)技术究竟是什么？这将对于世界芯片市场造成怎样的影响？

　　芯片的发展历程，其实就是顺应摩尔定律，不断缩小的过程。如何在一块电路板上存放更多的晶体管以及内存组件，从而尽可能地提升芯片的运行速度以及反应速率，是芯片升级的主要方式。

　　像是六十年前的芯片，那时候人眼可以看清每一块晶体管，但是到了今天，最顶尖的芯片上面可以有超过80亿颗晶体管，就算是显微镜都难以做到分辨。但由于技术要求的精度越来越高，内存行业也不再采用寻常的数字进行描述，而是罗马字母代替。

　　而本次美光实现技术突破的1β(1-beta)则是罗马字母beta的含义。由于精度过高，就需要使用光刻的技术进行操作，才能在硅基芯片上动工。但是由于光的波长无法投射出小于一半的光束，因此便需要通过光掩膜来操作，并需要要定制的超过紫外线的极紫外光进行镌刻，这便是EUV光刻机的工作原理。

　　而美光想要进行芯片制作，那么就需要跨过两个难题，分别是光掩膜以及极紫外线的研发，否则就不可能绕过衍射极限，这也是所有想要自研光刻机的企业面临的难题。

　　而对于这个难题，美光给出了自己的解法，那就是使用欺骗衍射极限法则。首先是用多层图像来模糊光掩膜的分辨率，然后将光掩膜的特征分割为多个特征，放到不同的涂层进行解决，从而缩减技术难度，最终合并在一起进行操作。

　　光掩膜的技术难题解决了，接下来便是极紫外线的难题。在这个方面，美光采用了水衍射的原理来进行操作，光在不同的介质中会表现出不同的折射方式，而在水中无疑会更难传播，进而缩短了波长，导致无限靠近极紫外线，通过不断的实验，极紫外线的努力也终于得到了解决。

　　解决了两大难题之后，美光的自研高精尖芯片终于绕过了EUV光刻机，只采用简单的DUV光刻机便制作完成。而由于技术更为便捷，多是并不复杂技术的交叠，因此成本也会更低，可谓是具备广阔的发展前景。

　　那么美光实现了绕过光刻机的高精尖芯片自研，将会对世界半导体市场造成怎样的影响？

　　虽然美光绕过了光刻机非常令人振奋，但是需要注意的一点是，美光目前研发成功的芯片是DRAM移动内存，也就是说，这是个内存芯片，并不是核心CPU芯片。

　　而DRAM芯片的制作工艺相对简单，美光推出的LPDDR5X移动内存便用上了1β(1-beta)技术，最高速率接近8500MHz。但是美光的技术能不能应用到高精尖芯片上，仍旧是个未知需要实践的问题。

　　其实这已经给全球的其他公司提供了借鉴经验。要知道凭借对于EUV光刻机的垄断，ASML赚得盆满钵满，如果美光绕过EUV光刻机的技术能够得到推广，那么就会令全球半导体产业大洗牌，或将拉低高精尖芯片的价格。

　　对于我国来说，也可以恢复对于高精尖芯片的自研可能。而ASML也会为了未来考虑，重新恢复与我国的贸易往来，令我国无法自研高精尖芯片的难题迎刃而解。而我国同样有华为这样的高精尖公司，如果可以对美光的技术成功借鉴，或将改变我们半导体市场的格局。

　　美光绕过EUV光刻机的技术存在广阔的应用前景，虽然只是实现了内存芯片领域的成功，但对于整个行业来说具备广阔的前瞻性。尤其是对于国际芯片市场，或将迎来新一轮的芯片变革，从而令我们半导体产业在夹缝中找到机会，甚至是实现高精尖芯片自主生产的可能。