NAND闪存目前已经发展出了四种形态：SLC单比特单元，性能最好，寿命最长，但成本也最高；MLC双比特单元，性能、寿命、成本比较均衡，目前主要用于高端和企业级产品；TLC三比特单元，成本低，容量大，但寿命越来越短；QLC四比特单元，自然延续了这一趋势。
事实上，经过厂商不断的改进，TLC技术已经十分成熟，无论性能还是寿命都可以满足日常消费甚至企业级应用，目前几乎绝大多数消费级SSD都在用它。
QLC闪存由于采用了四比特设计，每个单元内都有多达16种不同的电压状态，相比TLC又翻了一番，而且又不能把单元面积做的太大，因此控制难度急剧增大。
另外为了避免读写错误，主控搭配QLC闪存时也必须支持更高级的ECC，东芝就发展了自己的QSBC纠错技术，号称比TLC设备上常用的LDPC更加先进。
最关键的来了：东芝宣称，他们的QLC NAND拥有多达1000次左右的P/E编程擦写循环，大大高于业界此前几年预计的100-150次，几乎已经和TLC闪存相当了！
东芝具体是怎么做到的暂未披露，应当是有某种全新的秘密技术，而且很可能已经申请了专利。
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