4月20日据财联社消息，国产内存芯片厂商长鑫计划今年IPO上市，估值不低于1000亿元。

　　报道援引知情人士消息称，DRAM芯片制造商长鑫存储计划今年在科创板IPO，估值不低于1000亿元人民币（约合145亿美元）。据悉，长鑫存储正在挑选承销商，IPO规模尚未最终确定。

　　对此，长鑫存储的一位代表拒绝就IPO相关问题置评，表示公司目前正专注于研究及核心业务。

　　根据资料，合肥长鑫是国产芯片的代表企业，主要从事存储芯片行业中DRAM的研发、生产和销售。目前合肥长鑫拥有一座12英寸晶圆厂，19纳米（1X纳米）的工艺制程。

　　在2019年，长鑫量产了19nm工艺的DDR4、LPDDR4内存，目前已经用在了多家国产内存品牌中，公司也是全球第四家DRAM产品采用20nm以下工艺的厂商。

　　长鑫是中国大陆投入运营的大型DRAM企业，和紫光国芯（DRAM）、长江存储（NAND）一同组成“存储器国家队”。全球存储芯片格局请参考3张图搞懂：为什么中国一定要做存储器？

　　长鑫的技术来源已经不是秘密，此前长鑫存储董事长兼CEO朱一明在公开场合提到，长鑫的DRAM内存技术来源主要是已破产的奇梦达公司，获得了一千多万份有关DRAM的技术文件及2.8TB数据，在此基础上改进、研发自主产权的内存芯片，耗资超过25亿美元。

　　曾经贵为全球第二大DRAM厂的德国奇梦达已经破产（2009年）多年，他们的内存技术实际上停留在了前几代的水平，时任长鑫存储副总裁的平尔萱博士称，长鑫已经借助先进的设备将奇梦达46nm工艺水平的内存芯片推进到了10nm级别。

　　和逻辑制程有明显区别的是，三星是在20nm、18nm之后发展了1Xnm、1Ynm、1Znm，从1Xnm节点才开始称作10nm级内存。

　　在此之前，长鑫已于2019年底量产19nm工艺、8GB容量的DDR4内存芯片。同时，2022年有消息称长鑫已经向部分客户交付17nm DRAM样品，但未获官方证实。

　　但接下来的发生的事大家都知道了，2022年10月，美国一纸禁令全面针对中国发展先进存储器。随后AMAT、KLA等美资设备厂人员撤离，致使国内存储晶圆厂短暂停摆并暂停扩张计划。